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2014年下半南韩半导体厂望扩大资本支出 - OFweek电子工程网

三星电子(Samsung Electronics)半导体事业涵盖记忆体与系统IC，其半导体资本支出自2010年起连续4年居全球之冠。2014年三星半导体资本支出可望与2013年持平在115亿美元水准，然因三星预计2014年完工的南韩华城厂第17产线将展开设备装机，2014年下半其资本支出可望较上半年增加。 三星记忆体事业已于南韩华城厂及大陆西安厂设立共7条产线，2014年三星华城厂将以先进制程转换为主，西安厂则将逐步提升垂直堆叠NAND Flash V-NAND 产能，在系统IC事业方面，三星将以预计2014年下半完工的华城厂第17产线为其投资重点，目标为提供20奈米以下制程晶圆代工服务。 2014年南韩另一半导体厂商SK海力士(SK Hynix)规划资本支出将介于33亿~38亿美元，可望高于2013年的33亿美元，其将以利川工厂的DRAM用M14新产线为投资重点，由于M14产线预定2014年中动工，SK海力士与三星同样将呈现2014年下半资本支出较上半年增加的情形。 2014年除三星与SK海力士外，包括美光(Micron)、东芝(Toshiba)及SanDisk等记忆体厂的资本支出亦将在10亿美元以上，其中，美光将加快其DRAM朝20奈米级制程升级的脚步，并提高NAND Flash产能，东芝则透过与SanDisk合资方式，重建其四日市工厂第2栋厂房以扩充垂直堆叠架构NAND Flash产能。 在非记忆体方面，2014年包括英特尔(Intel)、台积电、GlobalFoundries及联电等业者的资本支出皆将逾10亿美元，其中，英特尔将主要用于布局14奈米及更先进制程，台积电将自20奈米朝16奈米鳍式场效电晶体(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)制程发展，GlobalFoundries与联电则分别计划布局20奈米以下先进制程及提升28奈米制程比重。 2014年资本支出逾10亿美元的半导体业者合计资本支出将为493亿美元左右，DIGITIMES Research观察，2014年全球DRAM三大业者皆将朝25~21奈米制程升级，NAND Flash产业则呈现前两大厂于垂直堆叠架构与19~16奈米制程并重的情形。至于非记忆体，则以2014年英特尔将扩充14奈米制程产能的进展较快。 三星系统IC事业生产据点暨2014年投资动向

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